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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，昂寶集成電路股份有限公司申請一項名為“ZVS反激式開關(guān)電源及用在其中的控制電路”的專利，公開號CN121441114A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，提供了一種ZVS反激式開關(guān)電源及用在其中的控制電路。ZVS反激式開關(guān)電源包括變壓器、原邊功率管、以及ZVS輔助開關(guān)管?？刂齐娐钒ǎ汗ぷ髂Ｊ綑z測單元，用于在原邊功率管關(guān)斷時，基于原邊繞組的退磁狀態(tài)表征信號生成指示ZVS反激式開關(guān)電源是否工作在DCM的工作模式指示信號；谷頂電壓檢測單元，用于在來自邏輯控制單元的脈沖出現(xiàn)指示信號指示ZVS時鐘信號出現(xiàn)新的信號脈沖時，基于退磁狀態(tài)表征信號生成谷頂?shù)竭_指示信號；以及邏輯控制單元，用于基于ZVS時鐘信號生成脈沖出現(xiàn)指示信號，并且在工作模式指示信號指示ZVS反激式開關(guān)電源

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杰華特微電子股份有限公司取得一項名為“供電電路及開關(guān)電源”的專利，授權(quán)公告號CN115250067B，申請日期為2022年4月。天眼查資料顯示，杰華特微電子股份有限公司，成立于2013年，位于杭州市，是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本45032.1609萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，杰華特微電子股份有限公司共對外投資了45家企業(yè)，參與招投標項目22次，財產(chǎn)線索方面有商標信息36條，專利信息1070條，此外企業(yè)還擁有行政許可7個。聲明：市場有風險，投資需謹慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成，僅供參考，不構(gòu)成個人投資建議。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市微源半導(dǎo)體股份有限公司取得一項名為“隔離管控制電路及開關(guān)電源”的專利，授權(quán)公告號CN121036538B，申請日期為2025年10月。天眼查資料顯示，深圳市微源半導(dǎo)體股份有限公司，成立于2010年，位于深圳市，是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本36000萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，深圳市微源半導(dǎo)體股份有限公司共對外投資了4家企業(yè)，參與招投標項目5次，財產(chǎn)線索方面有商標信息2條，專利信息155條，此外企業(yè)還擁有行政許可22個。聲明：市場有風險，投資需謹慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成，僅供參考，不構(gòu)成個人投資建議。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市昌寶機電設(shè)備有限公司申請一項名為“一種開關(guān)電源測試柜”的專利，公開號CN121364329A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種開關(guān)電源測試柜，涉及開關(guān)電源老化測試技術(shù)領(lǐng)域，包括老化測試柜，老化測試柜上呈直線陣列固定連接有多個層板，每個層板上各放置有多個開關(guān)電源，老化測試柜上設(shè)置有測試組件，測試組件包括多個擱置槽，多個擱置槽分別開設(shè)在多個層板上，每個層板上對應(yīng)一個擱置槽，老化測試柜與多個層板上共同對稱開設(shè)有兩個豎槽；通過測試組件的運行，將現(xiàn)有逐個取放開關(guān)電源的方式轉(zhuǎn)變?yōu)橥ㄟ^托板進行一次性放入和取出的批量操作模式，極大地縮短了開關(guān)電源測試準備和收尾階段所耗費的時間，將多次重復(fù)勞動合并為一次操作，顯著提高了測試流程的吞吐率，同時有效降低了操作

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇谷泰微電子有限公司申請一項名為“一種基于薄柵管的高壓開關(guān)控制電路”的專利，公開號CN121036741A，申請日期為2025年7月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種基于薄柵管的高壓開關(guān)控制電路包括PMOS柵極驅(qū)動電路、NMOS柵極驅(qū)動電路和核心高壓開關(guān)電路；所述核心高壓開關(guān)電路包括PMOS路徑電路和NMOS路徑電路；所述PMOS柵極驅(qū)動電路的采集端采集PMOS路徑電路中的輸入電壓，PMOS柵極驅(qū)動電路的輸出端電性連接PMOS路徑電路的控制端，輸出PMOS_CTL信號控制PMOS路徑電路的導(dǎo)通和關(guān)斷；所述NMOS柵極驅(qū)動電路的采集端采集NMOS路徑電路中的輸入電壓，NMOS柵極驅(qū)動電路的輸出端電性連接NMOS路徑電路的控制端，輸出NMOS_CTL信號控制NMOS路徑電

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司取得一項名為“智能電子開關(guān)、集成電路芯片、芯片產(chǎn)品和汽車”的專利，授權(quán)公告號CN118449503B，申請日期為2024年5月。天眼查資料顯示，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司，成立于2000年，位于深圳市，是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本2848.2982萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司共對外投資了5家企業(yè)，參與招投標項目4次，財產(chǎn)線索方面有商標信息21條，專利信息111條，此外企業(yè)還擁有行政許可18個。聲明：市場有風險，投資需謹慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成，僅供參考，不構(gòu)成個人投資建議。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海量引科技有限公司申請一項名為“光開關(guān)和硅光芯片”的專利，公開號CN121299841A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種光開關(guān)和硅光芯片，光開關(guān)包括第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)，第一波導(dǎo)與第二波導(dǎo)并列設(shè)置；第二波導(dǎo)包括主體和設(shè)置在主體中的第一縫隙；第一波導(dǎo)由第一材料組成，主體由所述第一材料組成，第一縫隙填充有第二材料；第一材料的熱光系數(shù)大于第二材料的熱光系數(shù)；沿光傳播方向，光開關(guān)依次設(shè)置有輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調(diào)制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)，輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調(diào)制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)均設(shè)置在第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)上；在非耦合相位調(diào)制區(qū)的第一波導(dǎo)的寬度為450納米，在非耦合相位調(diào)制區(qū)的第二波導(dǎo)寬度為600納米。本發(fā)明在實現(xiàn)

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，佛山市伊戈爾電子有限公司;吉安伊戈爾電氣有限公司申請一項名為“一種快速啟動開關(guān)電源”的專利，公開號CN121308528A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種快速啟動開關(guān)電源，變壓器T1的一次側(cè)設(shè)有輔助繞組，輔助繞組設(shè)有第一分接頭和第二分接頭，第一分接頭的輸出電壓比第二分接頭的輸出電壓大；線性穩(wěn)壓模塊的第一端電連接于第一分接頭，供電切換模塊的輸入端電連接于第二分接頭；快速啟動整流橋電路的MOS管Q2的源極、控制芯片U1的電源端和供電切換模塊的輸出端均與線性穩(wěn)壓模塊的第二端電連接；當?shù)诙纸宇^的輸出電壓大于線性穩(wěn)壓模塊的穩(wěn)壓值時，線性穩(wěn)壓模塊斷開及供電切換模塊導(dǎo)通，否則兩者狀態(tài)相反，且當兩者任一導(dǎo)通時，MOS管Q2斷開；解決

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海零邊界集成電路有限公司;珠海格力電器股份有限公司申請一項名為“一種智能功率模塊和一種芯片”的專利，公開號CN121283227A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明實施例提供了一種智能功率模塊和一種芯片，該智能功率模塊包括：逆變模塊和功率因數(shù)校正模塊(PFC模塊)。逆變模塊中，第一、第二反向?qū)ń^緣柵器件的控制端分別與第一、第二集成電路連接，實現(xiàn)了驅(qū)動信號的短路徑、低延遲傳輸，提高了開關(guān)動作的精確性和可靠性。PFC模塊為逆變模塊提供更穩(wěn)定、更高電壓的直流母線，使逆變模塊工作在更優(yōu)的電壓區(qū)間。逆變模塊和PFC模塊的關(guān)鍵器件之間采用直接連接方式，減少了外部走線，有助于減少電磁干擾。將逆變模塊和PFC模塊集成在同一個封裝內(nèi)，減少了外部連接和分立元器件的數(shù)量，

ES5915-654852長按1.5秒開關(guān)機芯片一． 功能說明供電范圍：DC2.0-5.0V。輕觸按鍵輸入兩路信號同步輸出：OUTH高有效、OUTL低有效。上電OUTL為高電平、OUTH為低電平，長按KEY鍵 1.5秒，OUTH輸出高電平，OUTL輸出低電平，再次長按KEY鍵 1.5秒關(guān)機，OUTH翻轉(zhuǎn)為低電平，OUTL翻轉(zhuǎn)為高電平。二． 電氣參數(shù)（VDD=5.0V TA=25℃）工作電壓：2.0V-5.0V工作電流：1uA靜態(tài)電流：1uA驅(qū)動電流低電平輸出：15mA驅(qū)動電流高電平輸出：10mA工作溫度：-10攝氏度-+60攝氏度儲存溫度：-25攝氏度-+125攝氏度三． 電路圖參考電源開關(guān)芯片*C2電容可根據(jù)電源實際需要調(diào)整或省略四． 封裝尺寸圖（SOT23-6）