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目前市場(chǎng)上的100V以上的高壓DCDC電源芯片雖然種類(lèi)繁多，但是電流普遍偏小，難以滿(mǎn)足一些大功率應(yīng)用的需求。針對(duì)這一市場(chǎng)痛點(diǎn)，我司特研發(fā)出了一款150V 2.5A的降壓恒壓芯片，該芯片不僅具有高電壓輸入能力，還具備大電流輸出的特點(diǎn)，能夠廣泛應(yīng)用于各種需要高功率、高效率、低功耗的電源轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。尤其在應(yīng)對(duì)潛在的熱拔插應(yīng)用場(chǎng)景方面有出色的表現(xiàn)?！?支持高耐壓150V◆ 高恒壓精度高◆ 2.5A持續(xù)大電流，低功耗◆ 高工作轉(zhuǎn)換效率，可達(dá)95%◆ 輸出電壓可調(diào)≥3.3V◆ 動(dòng)態(tài)響應(yīng)優(yōu)異，線(xiàn)性和負(fù)載調(diào)整良好◆ 集成軟啟動(dòng)、過(guò)流保護(hù)OCP、過(guò)熱保護(hù)OTP、短路保護(hù)SCP◆ 針對(duì)頻繁熱拔插使用場(chǎng)景有出色的表現(xiàn)

1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個(gè)股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀(jì) - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國(guó)際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門(mén) ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤(pán)中成交額達(dá) 14.25 億元，換手率達(dá) 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線(xiàn)于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點(diǎn)亮，預(yù)計(jì)今年 6 月通線(xiàn)，標(biāo)志著我國(guó)在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)進(jìn)入 “超級(jí)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安測(cè)半導(dǎo)體技術(shù)（義烏）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種電源芯片測(cè)試方法及裝置”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121324898A，申請(qǐng)日期為2025年11月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明屬于芯片測(cè)試（晶圓測(cè)試）領(lǐng)域，為了解決在電源芯片的測(cè)試過(guò)程中，通常需要人工連線(xiàn)，由于連線(xiàn)較多，導(dǎo)致作業(yè)效率較低，而且經(jīng)常出現(xiàn)連線(xiàn)錯(cuò)誤的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種電源芯片測(cè)試方法及裝置，該裝置包括：連接單元，所述連接單元包括多個(gè)測(cè)試針，所述測(cè)試針與待測(cè)晶圓連接；探針單元，所述探針單元包括多個(gè)探針，通過(guò)探針與連接單元連接；測(cè)試電路單元，所述測(cè)試電路單元與探針單元的探針連接，用于發(fā)出測(cè)試信號(hào)；處理單元，用于根據(jù)所述測(cè)試電路單元發(fā)出的信號(hào)，對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行電壓測(cè)試。本發(fā)明中連接單元直接通過(guò)探針單元與測(cè)試電路單元連接，不再需要

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121210229A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法，涉及芯片開(kāi)發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測(cè)芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測(cè)芯片端外部，與待測(cè)芯片通過(guò)管腳連接線(xiàn)連接，用于向待測(cè)芯片發(fā)送不同類(lèi)型的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)；待測(cè)芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過(guò)待測(cè)芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)，對(duì)該激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線(xiàn)協(xié)議的激勵(lì)信號(hào)，再通過(guò)AMBA總線(xiàn)發(fā)送至待測(cè)芯片的目標(biāo)地址模塊，以對(duì)芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測(cè)試和調(diào)試手段，可以對(duì)傳統(tǒng)調(diào)測(cè)方案進(jìn)行補(bǔ)充或替

1月7日，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至09:58，上證指數(shù)上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%，個(gè)股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門(mén)ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤(pán)中成交額達(dá)12.90億元，換手率達(dá)2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價(jià)格飆升，三星電子與SK海力士計(jì)劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價(jià)格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機(jī)用DRAM同步漲價(jià)，NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達(dá)1800%，DDR5 16Gb漲幅達(dá)500%，行業(yè)預(yù)計(jì)2027年前存儲(chǔ)芯片價(jià)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121340789A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路。耗材芯片的升級(jí)電路包括：信號(hào)選擇模塊、信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號(hào)選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號(hào)選擇模塊和信號(hào)處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號(hào)選擇模塊的工作狀態(tài)；當(dāng)耗材接口模塊與耗材芯片接觸時(shí)，向耗材接口模塊傳輸電平信號(hào)，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘?hào)以及信號(hào)選擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?hào)；根據(jù)第一信號(hào)和第二信號(hào)，確定耗材芯片的狀態(tài)和類(lèi)型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類(lèi)型，控制信號(hào)選擇模

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海甬吉電氣有限公司取得一項(xiàng)名為“戶(hù)外全封閉小型高壓隔離負(fù)荷開(kāi)關(guān)”的專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)CN223828383U，申請(qǐng)日期為2025年1月。專(zhuān)利摘要顯示，本實(shí)用新型提供戶(hù)外全封閉小型高壓隔離負(fù)荷開(kāi)關(guān)，屬于高壓隔離負(fù)荷開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，包括開(kāi)關(guān)機(jī)構(gòu)，包括外殼、設(shè)置于外殼內(nèi)部的開(kāi)關(guān)主體、固定安裝于外殼外側(cè)的固定框，以及轉(zhuǎn)動(dòng)安裝于固定框外側(cè)的拐臂；密封機(jī)構(gòu)，包括兩個(gè)用于對(duì)外殼內(nèi)部密封的密封組件，以及方便更換密封材料的更換組件，所述密封組件包括固定安裝于外殼外側(cè)的封閉板、開(kāi)設(shè)于封閉板表面的安裝槽、設(shè)置于安裝槽內(nèi)部的密封墊。本實(shí)用新型通過(guò)密封組件對(duì)外殼內(nèi)部進(jìn)行密封，有效提高了外殼內(nèi)部的密封性能，解決了傳統(tǒng)外殼內(nèi)部密封性能不佳的問(wèn)題，從而避免了灰塵和濕氣進(jìn)入外殼內(nèi)部，防止對(duì)開(kāi)關(guān)主體造成不

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司取得一項(xiàng)名為“智能電子開(kāi)關(guān)、集成電路芯片、芯片產(chǎn)品和汽車(chē)”的專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)CN118449503B，申請(qǐng)日期為2024年5月。天眼查資料顯示，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司，成立于2000年，位于深圳市，是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊(cè)資本2848.2982萬(wàn)人民幣。通過(guò)天眼查大數(shù)據(jù)分析，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司共對(duì)外投資了5家企業(yè)，參與招投標(biāo)項(xiàng)目4次，財(cái)產(chǎn)線(xiàn)索方面有商標(biāo)信息21條，專(zhuān)利信息111條，此外企業(yè)還擁有行政許可18個(gè)。聲明：市場(chǎng)有風(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成，僅供參考，不構(gòu)成個(gè)人投資建議。

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海格力電器股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種開(kāi)關(guān)管的保護(hù)電路和芯片”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121261684A，申請(qǐng)日期為2025年8月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種開(kāi)關(guān)管的保護(hù)電路和芯片，包括第一開(kāi)關(guān)管、開(kāi)通電路和控制電路；第一開(kāi)關(guān)管的輸入端與功率模塊連接，用于接收功率模塊輸出的供電電壓；開(kāi)通電路的一端與驅(qū)動(dòng)芯片連接，另一端與第一開(kāi)關(guān)管的控制端連接，用于接收驅(qū)動(dòng)芯片輸出的驅(qū)動(dòng)電壓，并向第一開(kāi)關(guān)管的控制端輸出驅(qū)動(dòng)電壓；開(kāi)通電路包括電阻調(diào)節(jié)模塊；控制電路分別與電阻調(diào)節(jié)模塊和第一開(kāi)關(guān)管的控制端連接，用于調(diào)整電阻調(diào)節(jié)模塊的阻值。本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)控制電路，根據(jù)第一開(kāi)關(guān)管的控制端與輸出端之間的電壓來(lái)調(diào)整電阻調(diào)節(jié)模塊的阻值，由于電阻的阻尼作用，從而抑制了第一開(kāi)關(guān)管的控制端基于供

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海量引科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“光開(kāi)關(guān)和硅光芯片”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121299841A，申請(qǐng)日期為2025年12月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明提供一種光開(kāi)關(guān)和硅光芯片，光開(kāi)關(guān)包括第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)，第一波導(dǎo)與第二波導(dǎo)并列設(shè)置；第二波導(dǎo)包括主體和設(shè)置在主體中的第一縫隙；第一波導(dǎo)由第一材料組成，主體由所述第一材料組成，第一縫隙填充有第二材料；第一材料的熱光系數(shù)大于第二材料的熱光系數(shù)；沿光傳播方向，光開(kāi)關(guān)依次設(shè)置有輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調(diào)制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)，輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調(diào)制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)均設(shè)置在第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)上；在非耦合相位調(diào)制區(qū)的第一波導(dǎo)的寬度為450納米，在非耦合相位調(diào)制區(qū)的第二波導(dǎo)寬度為600納米。本發(fā)明在實(shí)現(xiàn)