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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121210229A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法，涉及芯片開(kāi)發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測(cè)芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測(cè)芯片端外部，與待測(cè)芯片通過(guò)管腳連接線連接，用于向待測(cè)芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)；待測(cè)芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過(guò)待測(cè)芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)，對(duì)該激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵(lì)信號(hào)，再通過(guò)AMBA總線發(fā)送至待測(cè)芯片的目標(biāo)地址模塊，以對(duì)芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測(cè)試和調(diào)試手段，可以對(duì)傳統(tǒng)調(diào)測(cè)方案進(jìn)行補(bǔ)充或替

1月7日，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至09:58，上證指數(shù)上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%，個(gè)股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達(dá)12.90億元，換手率達(dá)2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價(jià)格飆升，三星電子與SK海力士計(jì)劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價(jià)格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機(jī)用DRAM同步漲價(jià)，NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達(dá)1800%，DDR5 16Gb漲幅達(dá)500%，行業(yè)預(yù)計(jì)2027年前存儲(chǔ)芯片價(jià)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121340789A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路。耗材芯片的升級(jí)電路包括：信號(hào)選擇模塊、信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號(hào)選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號(hào)選擇模塊和信號(hào)處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號(hào)選擇模塊的工作狀態(tài)；當(dāng)耗材接口模塊與耗材芯片接觸時(shí)，向耗材接口模塊傳輸電平信號(hào)，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘?hào)以及信號(hào)選擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?hào)；根據(jù)第一信號(hào)和第二信號(hào)，確定耗材芯片的狀態(tài)和類型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型，控制信號(hào)選擇模

超高壓大功率放大器是一種能夠提供極高電壓和高功率輸出的設(shè)備，它在各種科學(xué)實(shí)驗(yàn)和技術(shù)應(yīng)用中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。這種設(shè)備不僅能夠提供穩(wěn)定的電壓和功率輸出，還能精確控制實(shí)驗(yàn)參數(shù)，從而確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。以下是超高壓大功率放大器能夠進(jìn)行的幾種主要實(shí)驗(yàn)及其詳細(xì)分析。1.高壓放電實(shí)驗(yàn)超高壓大功率放大器在高壓放電實(shí)驗(yàn)中扮演著核心角色。它可以提供足夠的電壓和功率，驅(qū)動(dòng)氣體放電管、閃光燈等器件進(jìn)行放電實(shí)驗(yàn)。這些實(shí)驗(yàn)包括氣體放電研究、等離子體物理實(shí)驗(yàn)和光譜分析等。通過(guò)高壓放大器提供的電壓和功率，可以產(chǎn)生穩(wěn)定而強(qiáng)大的放電效果，從而探索各種物理現(xiàn)象及其背后的機(jī)制。例如，在等離子體物理實(shí)驗(yàn)中，高壓放電可以產(chǎn)生高溫、高密度的等離子體，這對(duì)于研究核聚變、天體物理等領(lǐng)域具有重要意義。2.電場(chǎng)實(shí)驗(yàn)電場(chǎng)實(shí)驗(yàn)是另一種

在快充技術(shù)快速發(fā)展的當(dāng)下，英集芯推出的IP6559升降壓SOC芯片，為車載充電器、快充適配器及智能排插等設(shè)備帶來(lái)了全新的解決方案。這款芯片以其高度集成化的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了單芯片多功能集成，成為大功率快充領(lǐng)域的創(chuàng)新之作。IP6559將升降壓控制器、協(xié)議芯片及路徑NMOS控制功能集成于QFN48封裝（7×7mm）之中，僅需1顆電感和2顆功率MOSFET，便可構(gòu)建完整的100W快充方案。與傳統(tǒng)需要外置十余顆元件的設(shè)計(jì)方案相比，其PCB面積可減少約40%，元件數(shù)量降低約65%，BOM成本下降約32%。這種集成化設(shè)計(jì)不僅簡(jiǎn)化了硬件布局，還通過(guò)減少元件間信號(hào)干擾，提升了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。在功率管理方面，IP6559展現(xiàn)出強(qiáng)大的適應(yīng)性。它支持3.6V至31V的寬電壓輸入范圍，能夠兼容12V至24V的車充環(huán)境。其同

在電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，寬輸入電壓、高效率的升壓解決方案一直是工程師關(guān)注的重點(diǎn)。今天以 H6801 這款電流模式 BOOST 異步升壓控制芯片為例，簡(jiǎn)單談?wù)勂湓O(shè)計(jì)特點(diǎn)與應(yīng)用思路。一、適應(yīng)寬電壓輸入范圍H6801 支持 2.7V 至 25V 的輸入電壓，啟動(dòng)電壓可低至 2.5V。這樣的寬范圍輸入特性，使其能夠兼容多種電源環(huán)境，例如單節(jié)鋰電、多節(jié)串聯(lián)電池或適配器供電場(chǎng)景。芯片內(nèi)部集成了 40V LDO，進(jìn)一步增強(qiáng)了供電穩(wěn)定性。二、多模式自動(dòng)切換與效率表現(xiàn)該芯片可根據(jù)負(fù)載情況，在 PWM、PFM 及 BURST 模式之間自動(dòng)切換。輕載時(shí)采用 PFM 或 BURST 模式有助于降低損耗，重載時(shí)則以 PWM 模式維持穩(wěn)定輸出。這種動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)機(jī)制有助于在全負(fù)載范圍內(nèi)保持較高的轉(zhuǎn)換效率，典型效率可大于95%。在輸出

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司取得一項(xiàng)名為“智能電子開(kāi)關(guān)、集成電路芯片、芯片產(chǎn)品和汽車”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN118449503B，申請(qǐng)日期為2024年5月。天眼查資料顯示，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司，成立于2000年，位于深圳市，是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊(cè)資本2848.2982萬(wàn)人民幣。通過(guò)天眼查大數(shù)據(jù)分析，深圳市穩(wěn)先微電子有限公司共對(duì)外投資了5家企業(yè)，參與招投標(biāo)項(xiàng)目4次，財(cái)產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息21條，專利信息111條，此外企業(yè)還擁有行政許可18個(gè)。聲明：市場(chǎng)有風(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成，僅供參考，不構(gòu)成個(gè)人投資建議。

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海格力電器股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種開(kāi)關(guān)管的保護(hù)電路和芯片”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121261684A，申請(qǐng)日期為2025年8月。專利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種開(kāi)關(guān)管的保護(hù)電路和芯片，包括第一開(kāi)關(guān)管、開(kāi)通電路和控制電路；第一開(kāi)關(guān)管的輸入端與功率模塊連接，用于接收功率模塊輸出的供電電壓；開(kāi)通電路的一端與驅(qū)動(dòng)芯片連接，另一端與第一開(kāi)關(guān)管的控制端連接，用于接收驅(qū)動(dòng)芯片輸出的驅(qū)動(dòng)電壓，并向第一開(kāi)關(guān)管的控制端輸出驅(qū)動(dòng)電壓；開(kāi)通電路包括電阻調(diào)節(jié)模塊；控制電路分別與電阻調(diào)節(jié)模塊和第一開(kāi)關(guān)管的控制端連接，用于調(diào)整電阻調(diào)節(jié)模塊的阻值。本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)控制電路，根據(jù)第一開(kāi)關(guān)管的控制端與輸出端之間的電壓來(lái)調(diào)整電阻調(diào)節(jié)模塊的阻值，由于電阻的阻尼作用，從而抑制了第一開(kāi)關(guān)管的控制端基于供

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海量引科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“光開(kāi)關(guān)和硅光芯片”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121299841A，申請(qǐng)日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種光開(kāi)關(guān)和硅光芯片，光開(kāi)關(guān)包括第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)，第一波導(dǎo)與第二波導(dǎo)并列設(shè)置；第二波導(dǎo)包括主體和設(shè)置在主體中的第一縫隙；第一波導(dǎo)由第一材料組成，主體由所述第一材料組成，第一縫隙填充有第二材料；第一材料的熱光系數(shù)大于第二材料的熱光系數(shù)；沿光傳播方向，光開(kāi)關(guān)依次設(shè)置有輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調(diào)制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)，輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調(diào)制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)均設(shè)置在第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)上；在非耦合相位調(diào)制區(qū)的第一波導(dǎo)的寬度為450納米，在非耦合相位調(diào)制區(qū)的第二波導(dǎo)寬度為600納米。本發(fā)明在實(shí)現(xiàn)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海零邊界集成電路有限公司;珠海格力電器股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種智能功率模塊和一種芯片”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121283227A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種智能功率模塊和一種芯片，該智能功率模塊包括：逆變模塊和功率因數(shù)校正模塊(PFC模塊)。逆變模塊中，第一、第二反向?qū)ń^緣柵器件的控制端分別與第一、第二集成電路連接，實(shí)現(xiàn)了驅(qū)動(dòng)信號(hào)的短路徑、低延遲傳輸，提高了開(kāi)關(guān)動(dòng)作的精確性和可靠性。PFC模塊為逆變模塊提供更穩(wěn)定、更高電壓的直流母線，使逆變模塊工作在更優(yōu)的電壓區(qū)間。逆變模塊和PFC模塊的關(guān)鍵器件之間采用直接連接方式，減少了外部走線，有助于減少電磁干擾。將逆變模塊和PFC模塊集成在同一個(gè)封裝內(nèi)，減少了外部連接和分立元器件的數(shù)量，